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Transistor JFET VCR 2N4338, 2N4339

Fabricant: Interfet

Référence: 2N4338, 2N4339

- Faible bruit : 4,2 nV/√Hz
- Gain élevé : 1,6 mS
- Faible tension de coupure : 2N4338 < 1.0V
- Conforme à la directive RoHS
- Options de boîtiers SMT, TH et bare die.
Diode redresseuse schottky 1N5806D2A

Fabricant: TT Electronics - Semelab

Référence: 1N5806D2A

- Tension : 150 V
- Boitier céramique hermétique SMD
- I = 1 µA
- Cobo = 25 pF
FET RF DMOS en silicium polyvalent métallisé à l’or D1001UK

Fabricant: TT Electronics - Semelab

Référence: D1001UK

- conception simplifiée de l'amplificateur
- Convient aux applications large bande
- Faible C(rss)
- Circuits de polarisation simples
- Faible bruit
- Gain élevé - 16 dB minimum
FET RF DMOS en silicium polyvalent métallisé à l’or D1007UK

Fabricant: TT Electronics - Semelab

Référence: D1007UK

- Conception simplifiée de l'amplificateur
- Convient aux applications large bande
- Faible C(rss)
- P(o) utile à 1 GHz
- Faible bruit
- Gain élevé - 13 dB minimum
JFET amplificateur audio 2N3458-59-60

Fabricant: Interfet

Référence: 2N3458-59-60

- Faible bruit : 5 nV/√Hz typique
- Gain élevé : 7,5 mS typique (2N3458)
- Faible tension de coupure : 2N3460 < 1.8V
- Conforme à la directive RoHS
- Options de boîtiers SMT, TH et bare die.
JFET amplificateur audio faible capacité 2N3823-4

Fabricant: Interfet

Référence: 2N3823-4

Bruit typique : 7 nV/√Hz
- Faible Ciss : 6.0pF Typique
- Conforme à la directive RoHS
- Options de boîtiers SMT, TH et bare die
JFET amplificateur audio faible capacité 2N4117-8-9A

Fabricant: Interfet

Référence: 2N4117-8-9A

- Faible fuite : 0,25 pA
- Faible capacité d'entrée : 2.0 pF
- Impédance d'entrée élevée
- Conforme à la directive RoHS
- Options de boîtiers SMT, TH et bare die
JFET amplificateur VHF 2N3821-2

Fabricant: Interfet

Référence: 2N3821-2

- Bruit typique : 7 nV/√Hz
- Faible Ciss : 6.0pF Typique
- Conforme à la directive RoHS
- Options de boîtiers SMT, TH
JFET amplificateur VHF 2N5397-8

Fabricant: Interfet

Référence: 2N5397-8

- Faible bruit : 3 nV/√Hz
- Faible Ciss : 5.0pF
- Faible fuite : 10pA
- Conforme à la directive RoHS
- Options de boîtiers SMT, TH
JFET amplificateur VHF 2N5484-5-6

Fabricant: Interfet

Référence: 2N5484-5-6

- Faible bruit : 4 nV/√Hz typique
- Faible Ciss : 4.3pF Typique
- Faible fuite : 10pA Typique
- Conforme à la directive RoHS
- Options de boîtiers SMT, TH
JFET Commutateur avec Commutation rapide 2N4856/A, 2N4857/A, 2N4858/A

Fabricant: Interfet

Référence: 2N4856/A, 2N4857/A, 2N4858/A

- Faible bruit : 1,2 nV/√Hz typique
- Commutation rapide
- Conforme à la directive RoHS
- Options de boîtiers SMT, TH et
JFET Commutateur de gain élevé J111/A, J112/A, J113/A

Fabricant: Interfet

Référence: J111/A, J112/A, J113/A

- Faible bruit : 1,2 nV/√Hz typique
- Gain élevé : 15mS typique
- Conforme à la directive RoHS
- Options de boîtiers SMT, TH, et die.
JFET Commutateur de gain élevé PN113

Fabricant: Interfet

Référence: PN113

- Faible bruit : 1,2 nV/√Hz typique
- Gain élevé : 15mS typique
- Conforme à la directive RoHS
- Options de boîtiers SMT, TH, et bare die
JFET Commutateur faible bruit J174, J175

Fabricant: Interfet

Référence: J174, J175

- Faible bruit : 8 nV/√Hz typique
- Faible Rds(on) : 85 Ohms maximum
- Conforme à la directive RoHS
- Options de boîtiers SMT, TH et Bare Die
JFET Commutateur faible bruit J176, J177

Fabricant: Interfet

Référence: J176, J177

- Faible bruit : 8 nV/√Hz typique
- Faible Rds(on) : 150 Ohms Typique
- Conforme à la directive RoHS
- Options de boîtiers SMT, TH et Bare die
JFET Commutateur faible bruit P1086, P1087

Fabricant: Interfet

Référence: P1086, P1087

- Faible bruit : 8 nV/√Hz typique
- Faible Rds(on) : 75 Ohms maximum (P1086)
- Conforme à la directive RoHS
- Options de boîtiers SMT, TH et Bare die
JFET diode Picoamp DPAD1-2

Fabricant: Interfet

Référence: DPAD1-2

- Faible fuite : 0,5pA typique
- Faible capacité : 0.8pF Typique
- Conforme à la directive RoHS
- Types de boîtiers personnalisés disponibles
JFET diodes régulateur de courant

Fabricant: Interfet

Référence: J500 à J557/ U553 à U557

- Tension de fonction : 50V
- Faible bruit : 5 nV/√Hz typique
- Faible capacité : 2pF typique
MOSFET de puissance en mode d’amélioration à N-channel 2N6661

Fabricant: TT Electronics - Semelab

Référence: 2N6661

- VDSS = 90 V
- Id = 0.9 A
- RDS= 4 Ω , Ciss = 50 pF
- Commutation rapide
- Tension de seuil basse
- Boitier métallique hermétique TO-39
MOSFET en mode d’amélioration à N-channel VN10K

Fabricant: TT Electronics - Semelab

Référence: VN10K

- VDSS = 60 V
- Id = 0.75 A
- RDS= 5 Ω , Ciss = 60 pF
- Commutation rapide
- Boitier métallique hermétique TO-18
Réseaux multi-puce MCA0401/1

Fabricant: TT Electronics - Semelab

Référence: MCA0401/1

- Transistors épitaxiaux NPN et PNP en silicium
- Diode Schottky en silicium
- Boîtier hermétique en céramique pour montage en surface
- Boitier : 18, 20 et 28 pad/lead
- Haute fiabilité
- Diverses options de blindage
Transistor à jonction bipolaire 2N918

Fabricant: TT Electronics - Semelab

Référence: 2N3867SMD05

- Tension : 30 V
- Boitier céramique hermétique SMD
- Icbo = 0.010 µA
- Cobo = 1.7 pF
Transistor au silicium à commutation PNP 2N3867SMD05

Fabricant: TT Electronics - Semelab

Référence: 2N3867SMD05

- Tension élevée : 40 V
- Boitier céramique hermétique SMD
- Icbo = 100 µA
- Cobo = 120 pF
Transistor de puissance NPN en silicium 2N5154X-220M

Fabricant: TT Electronics - Semelab

Référence: 2N5154X-220M

- Tension : 80 V
- Boitier métallique hermétique TO-220 isolé
- Icbo = 50 µA
- Cobo = 250 pF
Transistor JFET oscillateurs 2N4220/A, 2N4221/A

Fabricant: Interfet

Référence: 2N4220/A, 2N4221/A

- Bruit typique : 6 nV/√Hz
- Faible Ciss : 3.5pF
- Impédance d'entrée élevée
- Conforme à la directive RoHS
- Options de boîtiers SMT, TH et Bare die
Transistor JFET oscillateurs 2N4222, 2N4222A

Fabricant: Interfet

Référence: 2N4222, 2N4222A

- Bruit typique : 7 nV/√Hz
- Faible Ciss : 6.0pF Typique
- Conforme à la directive RoHS
- Options de boîtiers SMT, TH et bare die
Transistor JFET oscillateurs 2N6451, 2N6452

Fabricant: Interfet

Référence: 2N6451, 2N6452

- Faible bruit : 1,0 nV/√Hz
- Gain élevé : 15mS minimum
- Conforme à la directive RoHS
- Options de boîtiers SMT, TH et bare die
Transistor JFET oscillateurs 2N6453, 2N6454

Fabricant: Interfet

Référence: 2N6453, 2N6454

- Faible bruit : 1,0 nV/√Hz
- Gain élevé : 20mS minimum
- Conforme à la directive RoHS
- Options de boîtiers SMT, TH, et bare die.
Transistor JFET oscillateurs IF4500

Fabricant: Interfet

Référence: IF4500

- Faible bruit : 0,9 nV/√Hz
- Gain élevé : 70mS
- Conforme à la directive RoHS
- Options de boîtiers SMT, TH et bare die.
Transistor JFET oscillateurs J304, J305

Fabricant: Interfet

Référence: J304, J305

- Faible bruit : 4 nV/√Hz typique
- Faible Ciss : 4.3pF Typique
- Faible fuite : 10pA Typique
- Conforme à la directive RoHS
- Options de boîtiers SMT, TH et bare die
Transistor JFET Silicon 2N4091~2N4093

Fabricant: Central Semiconductor

Référence: 2N4091~2N4093

- Tension : 40V
- Courant : 10mA
- Puissance : 1.8 W
- Température de fonctionnement : -65 à +175 °C
Transistor JFET Silicon 2N4391~2N4393

Fabricant: Central Semiconductor

Référence: 2N4091~2N4093

- Tension : 40V
- Courant : 50 mA
- Puissance : 1.8 W
- Température de fonctionnement : -65 à +175 °C
Transistor JFET Silicon 2N4860/A ~ 2N4861/A

Fabricant: Central Semiconductor

Référence: 2N4860/A ~ 2N4861/A

- Tension : 30V
- Courant : 20 mA à 100mA
- Puissance : 1.8 W
- Température de fonctionnement : -65 à +175 °C
Transistor JFET Silicon SOT-23 CASE SMD CMPF4391~3

Fabricant: Central Semiconductor

Référence: CMPF4391~3

- SOT-23 CASE
- Tension : 40V
- Courant : 50 mA
- Puissance : 350 mW
- Température de fonctionnement : -65 à +150 °C
Transistor JFET Silicon SOT-23 CASE SMD CMPF5484~86

Fabricant: Central Semiconductor

Référence: CMPF5484~86

- SOT-23 CASE
- Tension : 25V
- Courant : 10 mA
- Puissance : 350 mW
- Température de fonctionnement : -65 à +150 °C
Transistor JFET Silicon SOT-23 CASE SMD CMPFJ175-176

Fabricant: Central Semiconductor

Référence: CMPFJ175-176

- SOT-23 CASE
- Tension : 30V
- Courant : 50 mA
- Puissance : 225 mW
- Température de fonctionnement : -65 à +150 °C
Transistor JFET Silicon TO-72 Case 2N4416/A

Fabricant: Central Semiconductor

Référence: PN4391-4393

- TO-72 Case
- Tension : 30V, 35V
- Courant : 10 mA
- Puissance : 300 mW
- Température de fonctionnement : -65 à +150 °C
Transistor JFET Silicon TO-92 Case 2N3819

Fabricant: Central Semiconductor

Référence: 2N3819

- TO-92 Case
- Tension : 25V
- Courant : 10 mA
- Puissance : 360 mW
- Température de fonctionnement : -65 à +150 °C
Transistor JFET Silicon TO-92 Case PN4091-4093

Fabricant: Central Semiconductor

Référence: PN4091-4093

- TO-92 Case
- Tension : 40V
- Courant : 10 mA
- Puissance : 625 mW
- Température de fonctionnement : -65 à +150 °C
Transistor JFET Silicon TO-92 Case PN4391-4393

Fabricant: Central Semiconductor

Référence: PN4391-4393

- TO-92 Case
- Tension : 40V
- Courant : 50 mA
- Puissance : 625 mW
- Température de fonctionnement : -65 à +150 °C
Transistor JFET VCR 2N4340, 2N4341

Fabricant: Interfet

Référence: 2N4340, 2N4341

- Faible bruit : 4,2 nV/√Hz
- Gain élevé : 3,1 mS
- Conforme à la directive RoHS
- Options de boîtiers SMT, TH, et bare die.
Transistor JFET VCR VCR2N

Fabricant: Interfet

Référence: VCR2N

- Faible fuite : 10pA typique
- Faible capacité d'entrée : 1,5 pF maximum
- Conforme à la directive RoHS
- Options de boîtiers SMT, TH, et bare die
Transistor MOSFET Silicon SOT-23F CASE CMPDM203NH

Fabricant: Central Semiconductor

Référence: CMPDM203NH

- SOT-23F
- Tension : 20V
- Courant : 3.2 mA
- Puissance : 350 mW
- Température de fonctionnement : -55 à +150 °C
Transistor MOSFET Silicon SOT-23F CASE CMPDM302PH

Fabricant: Central Semiconductor

Référence: CMPDM302PH

- SOT-23F
- Tension : 30V
- Courant : 2.4 mA
- Puissance : 350 mW
- Température de fonctionnement : -55 à +150 °C
Transistor N-Channel MOSFET renforcé radiations CSLCDM22011-225F

Fabricant: Central Semiconductor

Référence: CSLCDM22011-225F

- TO-220FP boîtier
- Haute Tension
- Faible charge à l'entrée / Low gate charge : Qgs = 4.45nC TYP
- rDS ultra faible / Ultra low rDS(ON) (0.3Ω TYP)
- TID = 10kRad
Transistor NPN au silicium 2N2891

Fabricant: TT Electronics - Semelab

Référence: 2N2891

- Faible courant de fuite
- Fréquence de transition élevée (FT) : 100 MHz
- Boitier métallique hermétique TO-39
- Adapté aux application de commutation et d'amplification à courant moyen
Transistor NPN au silicium de puissance moyenne 2N3053

Fabricant: TT Electronics - Semelab

Référence: 2N3053

- Faible courant de fuite
- Fréquence de transition élevée (FT) : 100 MHz
- Boitier métallique hermétique TO-39
- Adapté aux application de commutation et d'amplification à courant moyen
Transistor NPN au silicium de puissance moyenne 2N3441

Fabricant: TT Electronics - Semelab

Référence: 2N3441

- Faibles tensions de saturation
- Haute tension nominale
- Zone maximale de fonctionnement sans danger Courbes pour le fonctionnement en courant continu et en impulsions
Transistor NPN double épitaxial en silicium 2N3904DCSM

Fabricant: TT Electronics - Semelab

Référence: 2N3904DCSM

- Tension élevée : 40 V
- Boitier céramique hermétique SMD
- Icbo = 30 nA
- Cobo = 4 pF
Transistor NPN épitaxial planaire en silicium 2N3114CSM

Fabricant: TT Electronics - Semelab

Référence: 2N3114CSM

- Tension élevée : 150 V
- Boitier céramique hermétique SMD
- Icbo = 10 nA
- Cobo = 9 pF
Transistor silicium PNP haute tension BSS76

Fabricant: TT Electronics - Semelab

Référence: BSS76

- VCEO = 300V
- Cib = 45 pF
- Emballage métallique hermétique
- Options de blindage disponibles