- Bruit typique : 7 nV/√Hz
- Faible Ciss : 6.0pF Typique
- Conforme à la directive RoHS
- Options de boîtiers SMT, TH
Diode redresseuse schottky 1N5806D2A
Fabricant:
TT Electronics - Semelab
Référence:
1N5806D2A
- Tension : 150 V
- Boitier céramique hermétique SMD
- I = 1 µA
- Cobo = 25 pF
FET RF DMOS en silicium polyvalent métallisé à l’or D1001UK
Fabricant:
TT Electronics - Semelab
Référence:
D1001UK
- conception simplifiée de l'amplificateur
- Convient aux applications large bande
- Faible C(rss)
- Circuits de polarisation simples
- Faible bruit
- Gain élevé - 16 dB minimum
FET RF DMOS en silicium polyvalent métallisé à l’or D1007UK
Fabricant:
TT Electronics - Semelab
Référence:
D1007UK
- Conception simplifiée de l'amplificateur
- Convient aux applications large bande
- Faible C(rss)
- P(o) utile à 1 GHz
- Faible bruit
- Gain élevé - 13 dB minimum
JFET amplificateur audio 2N3458-59-60
Fabricant:
Interfet
Référence:
2N3458-59-60
- Faible bruit : 5 nV/√Hz typique
- Gain élevé : 7,5 mS typique (2N3458)
- Faible tension de coupure : 2N3460 < 1.8V
- Conforme à la directive RoHS
- Options de boîtiers SMT, TH et bare die.
JFET amplificateur audio faible capacité 2N3823-4
Fabricant:
Interfet
Référence:
2N3823-4
Bruit typique : 7 nV/√Hz
- Faible Ciss : 6.0pF Typique
- Conforme à la directive RoHS
- Options de boîtiers SMT, TH et bare die
- Faible fuite : 0,25 pA
- Faible capacité d'entrée : 2.0 pF
- Impédance d'entrée élevée
- Conforme à la directive RoHS
- Options de boîtiers SMT, TH et bare die
JFET amplificateur VHF 2N5397-8
Fabricant:
Interfet
Référence:
2N5397-8
- Faible bruit : 3 nV/√Hz
- Faible Ciss : 5.0pF
- Faible fuite : 10pA
- Conforme à la directive RoHS
- Options de boîtiers SMT, TH
JFET Commutateur avec Commutation rapide 2N4856/A, 2N4857/A, 2N4858/A
Fabricant:
Interfet
Référence:
2N4856/A, 2N4857/A, 2N4858/A
- Faible bruit : 1,2 nV/√Hz typique
- Commutation rapide
- Conforme à la directive RoHS
- Options de boîtiers SMT, TH et
JFET Commutateur de gain élevé J111/A, J112/A, J113/A
Fabricant:
Interfet
Référence:
J111/A, J112/A, J113/A
- Faible bruit : 1,2 nV/√Hz typique
- Gain élevé : 15mS typique
- Conforme à la directive RoHS
- Options de boîtiers SMT, TH, et die.
JFET Commutateur de gain élevé PN113
Fabricant:
Interfet
Référence:
PN113
- Faible bruit : 1,2 nV/√Hz typique
- Gain élevé : 15mS typique
- Conforme à la directive RoHS
- Options de boîtiers SMT, TH, et bare die
JFET Commutateur faible bruit J174, J175
Fabricant:
Interfet
Référence:
J174, J175
- Faible bruit : 8 nV/√Hz typique
- Faible Rds(on) : 85 Ohms maximum
- Conforme à la directive RoHS
- Options de boîtiers SMT, TH et Bare Die
JFET Commutateur faible bruit J176, J177
Fabricant:
Interfet
Référence:
J176, J177
- Faible bruit : 8 nV/√Hz typique
- Faible Rds(on) : 150 Ohms Typique
- Conforme à la directive RoHS
- Options de boîtiers SMT, TH et Bare die
JFET Commutateur faible bruit P1086, P1087
Fabricant:
Interfet
Référence:
P1086, P1087
- Faible bruit : 8 nV/√Hz typique
- Faible Rds(on) : 75 Ohms maximum (P1086)
- Conforme à la directive RoHS
- Options de boîtiers SMT, TH et Bare die
JFET diode Picoamp DPAD1-2
Fabricant:
Interfet
Référence:
DPAD1-2
- Faible fuite : 0,5pA typique
- Faible capacité : 0.8pF Typique
- Conforme à la directive RoHS
- Types de boîtiers personnalisés disponibles
JFET diodes régulateur de courant
Fabricant:
Interfet
Référence:
J500 à J557/ U553 à U557
- Tension de fonction : 50V
- Faible bruit : 5 nV/√Hz typique
- Faible capacité : 2pF typique
MOSFET de puissance en mode d’amélioration à N-channel 2N6661
Fabricant:
TT Electronics - Semelab
Référence:
2N6661
- VDSS = 90 V
- Id = 0.9 A
- RDS= 4 Ω , Ciss = 50 pF
- Commutation rapide
- Tension de seuil basse
- Boitier métallique hermétique TO-39
MOSFET en mode d’amélioration à N-channel VN10K
Fabricant:
TT Electronics - Semelab
Référence:
VN10K
- VDSS = 60 V
- Id = 0.75 A
- RDS= 5 Ω , Ciss = 60 pF
- Commutation rapide
- Boitier métallique hermétique TO-18
Réseaux multi-puce MCA0401/1
Fabricant:
TT Electronics - Semelab
Référence:
MCA0401/1
- Transistors épitaxiaux NPN et PNP en silicium
- Diode Schottky en silicium
- Boîtier hermétique en céramique pour montage en surface
- Boitier : 18, 20 et 28 pad/lead
- Haute fiabilité
- Diverses options de blindage
- Bruit typique : 6 nV/√Hz
- Faible Ciss : 3.5pF
- Impédance d'entrée élevée
- Conforme à la directive RoHS
- Options de boîtiers SMT, TH et Bare die
Transistor JFET oscillateurs 2N4222, 2N4222A
Fabricant:
Interfet
Référence:
2N4222, 2N4222A
- Bruit typique : 7 nV/√Hz
- Faible Ciss : 6.0pF Typique
- Conforme à la directive RoHS
- Options de boîtiers SMT, TH et bare die
Transistor JFET oscillateurs 2N6451, 2N6452
Fabricant:
Interfet
Référence:
2N6451, 2N6452
- Faible bruit : 1,0 nV/√Hz
- Gain élevé : 15mS minimum
- Conforme à la directive RoHS
- Options de boîtiers SMT, TH et bare die
Transistor JFET oscillateurs 2N6453, 2N6454
Fabricant:
Interfet
Référence:
2N6453, 2N6454
- Faible bruit : 1,0 nV/√Hz
- Gain élevé : 20mS minimum
- Conforme à la directive RoHS
- Options de boîtiers SMT, TH, et bare die.
Transistor JFET oscillateurs IF4500
Fabricant:
Interfet
Référence:
IF4500
- Faible bruit : 0,9 nV/√Hz
- Gain élevé : 70mS
- Conforme à la directive RoHS
- Options de boîtiers SMT, TH et bare die.
Transistor JFET oscillateurs J304, J305
Fabricant:
Interfet
Référence:
J304, J305
- Faible bruit : 4 nV/√Hz typique
- Faible Ciss : 4.3pF Typique
- Faible fuite : 10pA Typique
- Conforme à la directive RoHS
- Options de boîtiers SMT, TH et bare die
Transistor JFET Silicon 2N4091~2N4093
Fabricant:
Central Semiconductor
Référence:
2N4091~2N4093
- Tension : 40V
- Courant : 10mA
- Puissance : 1.8 W
- Température de fonctionnement : -65 à +175 °C
Transistor JFET Silicon 2N4391~2N4393
Fabricant:
Central Semiconductor
Référence:
2N4091~2N4093
- Tension : 40V
- Courant : 50 mA
- Puissance : 1.8 W
- Température de fonctionnement : -65 à +175 °C
Transistor JFET Silicon 2N4860/A ~ 2N4861/A
Fabricant:
Central Semiconductor
Référence:
2N4860/A ~ 2N4861/A
- Tension : 30V
- Courant : 20 mA à 100mA
- Puissance : 1.8 W
- Température de fonctionnement : -65 à +175 °C
Transistor JFET Silicon SOT-23 CASE SMD CMPF4391~3
Fabricant:
Central Semiconductor
Référence:
CMPF4391~3
- SOT-23 CASE
- Tension : 40V
- Courant : 50 mA
- Puissance : 350 mW
- Température de fonctionnement : -65 à +150 °C
Transistor JFET Silicon SOT-23 CASE SMD CMPF5484~86
Fabricant:
Central Semiconductor
Référence:
CMPF5484~86
- SOT-23 CASE
- Tension : 25V
- Courant : 10 mA
- Puissance : 350 mW
- Température de fonctionnement : -65 à +150 °C
Transistor JFET Silicon SOT-23 CASE SMD CMPFJ175-176
Fabricant:
Central Semiconductor
Référence:
CMPFJ175-176
- SOT-23 CASE
- Tension : 30V
- Courant : 50 mA
- Puissance : 225 mW
- Température de fonctionnement : -65 à +150 °C
Transistor JFET Silicon TO-72 Case 2N4416/A
Fabricant:
Central Semiconductor
Référence:
PN4391-4393
- TO-72 Case
- Tension : 30V, 35V
- Courant : 10 mA
- Puissance : 300 mW
- Température de fonctionnement : -65 à +150 °C
Transistor JFET Silicon TO-92 Case 2N3819
Fabricant:
Central Semiconductor
Référence:
2N3819
- TO-92 Case
- Tension : 25V
- Courant : 10 mA
- Puissance : 360 mW
- Température de fonctionnement : -65 à +150 °C
Transistor JFET Silicon TO-92 Case PN4091-4093
Fabricant:
Central Semiconductor
Référence:
PN4091-4093
- TO-92 Case
- Tension : 40V
- Courant : 10 mA
- Puissance : 625 mW
- Température de fonctionnement : -65 à +150 °C
Transistor JFET Silicon TO-92 Case PN4391-4393
Fabricant:
Central Semiconductor
Référence:
PN4391-4393
- TO-92 Case
- Tension : 40V
- Courant : 50 mA
- Puissance : 625 mW
- Température de fonctionnement : -65 à +150 °C
Transistor JFET VCR 2N4338, 2N4339
Fabricant:
Interfet
Référence:
2N4338, 2N4339
- Faible bruit : 4,2 nV/√Hz
- Gain élevé : 1,6 mS
- Faible tension de coupure : 2N4338 < 1.0V
- Conforme à la directive RoHS
- Options de boîtiers SMT, TH et bare die.
Transistor JFET VCR 2N4340, 2N4341
Fabricant:
Interfet
Référence:
2N4340, 2N4341
- Faible bruit : 4,2 nV/√Hz
- Gain élevé : 3,1 mS
- Conforme à la directive RoHS
- Options de boîtiers SMT, TH, et bare die.
Transistor JFET VCR VCR2N
Fabricant:
Interfet
Référence:
VCR2N
- Faible fuite : 10pA typique
- Faible capacité d'entrée : 1,5 pF maximum
- Conforme à la directive RoHS
- Options de boîtiers SMT, TH, et bare die
Transistor MOSFET Silicon SOT-23F CASE CMPDM203NH
Fabricant:
Central Semiconductor
Référence:
CMPDM203NH
- SOT-23F
- Tension : 20V
- Courant : 3.2 mA
- Puissance : 350 mW
- Température de fonctionnement : -55 à +150 °C
Transistor MOSFET Silicon SOT-23F CASE CMPDM302PH
Fabricant:
Central Semiconductor
Référence:
CMPDM302PH
- SOT-23F
- Tension : 30V
- Courant : 2.4 mA
- Puissance : 350 mW
- Température de fonctionnement : -55 à +150 °C
- Faible courant de fuite
- Fréquence de transition élevée (FT) : 100 MHz
- Boitier métallique hermétique TO-39
- Adapté aux application de commutation et d'amplification à courant moyen
Transistor NPN au silicium de puissance moyenne 2N3053
Fabricant:
TT Electronics - Semelab
Référence:
2N3053
- Faible courant de fuite
- Fréquence de transition élevée (FT) : 100 MHz
- Boitier métallique hermétique TO-39
- Adapté aux application de commutation et d'amplification à courant moyen
Transistor NPN au silicium de puissance moyenne 2N3441
Fabricant:
TT Electronics - Semelab
Référence:
2N3441
- Faibles tensions de saturation
- Haute tension nominale
- Zone maximale de fonctionnement sans danger Courbes pour le fonctionnement en courant continu et en impulsions
Transistor NPN double épitaxial en silicium 2N3904DCSM
