-Vrwm:16000 V
-Io:10mA (55°C),5mA(100°C)
-Ir:0.1µA(25°C),10µA(100°C)
-Trr:100ns (25°C)
-C:0.5 pF

-JANTX ,JANTXV
-Vrwm:5000 V
-Io:50mA (55°C),25mA(100°C)
-Ir:0.1µA(25°C),10µA(100°C)
-Trr:70ns (25°C)
-C:1.0 pF

-JANTX ,JANTXV
-Vrwm:2000 V
-Io:2A (55°C),1.5A(100°C)
-Ir:1µA(25°C),20µA(100°C)
-Trr:70ns (25°C)
-C:25 pF

-JANTX ,JANTXV
-Vrwm:3000 V
-Io:1.5A (55°C),1.0A(100°C)
-Ir:1.0µA(25°C),25µA(100°C)
-Trr:70ns (25°C)
-C:20 pF

-JANTX ,JANTXV
-Vrwm:10000 V
-Io:0.5A (55°C),0.25A(100°C)
-Ir:0.1µA(25°C),25µA(100°C)
-Trr:70ns (25°C)
-C:8 pF

-JANTX ,JANTXV
-Vrwm:5000 V
-Io:150mA (55°C),75mA(100°C)
-Ir:0.5µA(25°C),20µA(100°C)
-Trr:70ns (25°C)
-C:3.0 pF

-JANTX ,JANTXV
-Vrwm:10000 V
-Io:100mA (55°C),50mA(100°C)
-Ir:0.5µA(25°C),20µA(100°C)
-Trr:70ns (25°C)
-C:2.0 pF

-JANTX ,JANTXV
-Vrwm:2000 V
-Io:250mA (55°C),125mA(100°C)
-Ir:0.1µA(25°C),10µA(100°C)
-Trr:70ns (25°C)
-C:4.0 pF

-JANTX ,JANTXV
-Vrwm:10000 V
-Io:25mA (55°C),12mA(100°C)
-Ir:0.1µA(25°C),10µA(100°C)
-Trr:70ns (25°C)
-C:0.5 pF

-Vrwm:10000 V
-Io:10mA (55°C),20mA(100°C)
-Ir:0.1µA(25°C),10µA(100°C)
-Trr:50ns (25°C)
-C:0.5 pF

-Vrwm:10000 V
-Io:100mA (55°C),50mA(100°C)
-Ir:1µA(25°C),20µA(100°C)
-Trr:100ns (25°C)
-C:2.0 pF

-Vrwm:20000 V
-Io:25mA (55°C),13mA(100°C)
-Ir:1µA(25°C),20µA(100°C)
-Trr:100ns (25°C)
-C:2.0 pF

-Vrwm:2000 V
-Io:1000mA (55°C),750mA(100°C)
-Ir:1.0µA(25°C),20µA(100°C)
-Trr:30ns (25°C)
-C:20.0 pF

- Tension : 3.5 V
- Courant : 10 mA
- Puissance : 500 mW
- Température de fonctionnement : -65 à +150 °C
- Résistance thermique : 180°C/W

CLA4603-085LF est une diode limiteur PIN en silicium à faible capacité, montable en surface, conçue comme une diode PIN connectée en shunt pour les applications de limiteur de puissance élevée de 10 MHz à plus de 10 GHz.
La résistance maximale à 10 mA est de 2 Ω et la capacité maximale à 6 V est de 0,4 pF. La combinaison d'une faible capacité de jonction, d'une faible inductance parasite, d'une faible résistance thermique et d'une largeur de région I nominale de 1,5 um rend le CLA4603-085LF utile dans les grandes applications de limitation de signal. Le niveau de seuil est de +9 dBm, nominal.
-Faible résistance thermique : 96 °C/W
-Niveau de seuil typique : +9 dBm
-Faible capacité : 0,33 pF
-Fréquence de test RF (GHz):1
-Perte d'insertion typique (dB) Broche = 0 dBm :0,1
-Niveau de seuil typique (dBm):9jkj
-Puissance maximale saturée (Watts) :3
-Vb It = 10 µA (V): 20-45
-Épaisseur de la région I (µm) Nominal:1.5
-CT (pF) 0 V, F= 1 MHz: 0,36 Typ.
-CT (pF) 6 V , F =1 MHz:0,40 max.
-CT (pF) 30 V , F =1 MHz:0,32 Typ.
-Rs If = 10 mA F = 100 MHz (Ω) :2,0 max

-Vrwm:15000 V
-Io:10mA (55°C),5mA(100°C)
-Ir:0.1µA(25°C),10µA(100°C)
-Trr:100ns (25°C)
-C:0.5 pF

-Vrwm:5000 V
-Io:40mA (55°C),20mA(100°C)
-Ir:0.1µA(25°C),10µA(100°C)
-Trr:30ns (25°C)
-C:1.0 pF

-Vrwm:2000 V
-Io:200mA (55°C),125mA(100°C)
-Ir:0.1µA(25°C),10µA(100°C)
-Trr:70ns (25°C)
-C:4.0 pF

-Vrwm:3000 V
-Io:100mA (55°C),50mA(100°C)
-Ir:0.1µA(25°C),10µA(100°C)
-Trr:70ns (25°C)
-C:2.0 pF

-Vrwm:5000 V
-Io:50mA (55°C),25mA(100°C)
-Ir:0.1µA(25°C),10µA(100°C)
-Trr:70ns (25°C)
-C:1.0 pF

-Vrwm:5000 V
-Io:150mA (55°C),75mA(100°C)
-Ir:1µA(25°C),20µA(100°C)
-Trr:30ns (25°C)
-C:3.0 pF

-
-Vrwm:5000 V
-Io:150mA (55°C),75mA(100°C)
-Ir:0.5µA(25°C),20µA(100°C)
-Trr:70ns (25°C)
-C:3.0 pF

DSM8100-000 est conçu pour une faible résistance, une faible capacité et un temps de commutation rapide. Les couches de passivation oxyde-nitrure offrent un fonctionnement fiable et des paramètres de jonction stables qui fournissent une étanchéité complète de la jonction permettant une utilisation dans des assemblages avec un certain degré d'étanchéité à l'humidité. Une couche de verre apporte une résistance mécanique accrue.
Le DSM8100 est idéal pour les circuits microruban ou triplaque et pour les circuits nécessitant une isolation élevée par rapport à une diode montée en série, tels que les commutateurs multidirectionnels à large bande, les déphaseurs, les limiteurs, les atténuateurs et les modulateurs.
-Faible capacité
-Faible résistance
-Commutation rapide
-Passivation oxyde-nitrure
-Vb Ir= 10 µA (V):60
-Max. Cj @ 10 V (pF) :0,025
-Max. Rs à 10 mA (Ω) :3.5
-Max. Ti @ 10 mA (ns): 25
-Construction durable

- Tension : 40V
- Courant : 100mA
- Puissance : 350 mW
- Température de fonctionnement : -65 à +150 °C
- Résistance thermique : 357°C/W
- Capacité : 7 pF

- Tension : 40V
- Courant : 500mA
- Puissance : 250 mW
- Température de fonctionnement : -65 à +175 °C
- Résistance thermique : 500°C/W
- Capacité : 50 pF

- Tension : 40V
- Courant : 200mA
- Puissance : 125 mW
- Température de fonctionnement : -65 à +125 °C
- Résistance thermique : 800°C/W
- Capacité : 5 pF

La série SMV1405-SMV1413 de diodes varicap à jonction abrupte en silicium à matrice nue, époxy et hermétique est conçue pour être utilisée dans les VCO nécessitant des tolérances de capacité serrées. La faible résistance de ces varacteurs les rend appropriés pour les résonateurs à Q élevé dans les VCO de système sans fil à des fréquences supérieures à 2,5 GHz. Les appareils sont caractérisés pour la capacité sur la température. Les modèles SPICE sont fournis.
-Vr Tension de claquage inverse Ir = 10 μA (V) Min: 30 V
-Ct Capacité totale1 Vr=1 V (pF) Typ=1.84
-Ct Capacité totale1 Vr=4 V (pF) Typ=1.25
-Ct Capacité totale1 Vr=10 V (pF) Typ=0.95
-Ct Capacité totale1 Vr=30 V (pF) Typ= 0.63
-Rapport de capacité totale Ct = 0 V / Ct = 30 V Min=4.1
-Résistance série Rs 500 MHz (Ω) Max=0.8

La série SMV1405–SMV1413 de diodes varicap à jonction abrupte en silicium à bare die , en boîtier époxy et hermétique est conçue pour être utilisée dans les VCO nécessitant des tolérances de capacité strictes. La faible résistance de ces varactors les rend appropriés pour les résonateurs à Q élevé dans les VCO de systèmes sans fil à des fréquences supérieures à 2,5 GHz. Les dispositifs sont caractérisés pour la capacité en fonction de la température. Des modèles SPICE sont fournis.
-Q élevé
-Faible résistance série pour un faible bruit de phase
-Puces multiples et boîtiers hermétiques
-Die Size (mils) 14.0±1
-Vr Reverse Breakdown Voltage Ir = 10 µA (V) Min. 30
-Ct Total Capacitance1 Vr=1 V (pF) Typ. 6.37
-Ct Total Capacitance1 Vr=4 V (pF) Typ. 4.1
-Ct Total Capacitance1 Vr=10 V (pF) Typ. 2.85
-Ct Total Capacitance1 Vr=30 V (pF) Typ. 1.77
-Total Capacitance Ratio Ct=0 V / Ct=30 V Min. 4.2
-Rs Series Resistance 500 MHz (Ω) Max. 0.35
-Q Vr=4 V @ 50 MHz Min. 2400

- Tension : 3.3V -15V
- Courant : 5 mA
- Puissance : 500 mW
- Température de fonctionnement : -65 à +175 °C
- Résistance thermique : 150°C/W

La série Skyworks de diodes de détection à barrière Schottky en boîtier, à faisceau et à puce est conçue pour des applications via la bande K. Le choix du métal de barrière et des techniques de traitement donne une diode avec une large sélection de plages d'impédance vidéo.
Les diodes en boîtier conviennent à une utilisation dans des applications de guide d'ondes, coaxiales et stripline. Les diodes à conducteur de faisceau et à puce peuvent également être montées dans une variété de boîtiers.
Les diodes à conducteur de faisceau non montées sont particulièrement bien adaptées pour une utilisation dans les applications MIC. Les diodes à conducteur de faisceau montées peuvent être facilement utilisées dans les -----circuits MIC, stripline et autres.
-Min. T SS (dBm):-52
-Barrière:ZDB
-Type de jonction:P
-CJ ( pF ):0,25
-V F @ 1 mA (mV):135-240
-ZV ( Ω ):2000-5000
-Min. E0 (mV): 8
-VB ( V ): 1
-R T (Ω): 30
-R V @ 0 Biais (Ω) :5.5

La série Skyworks CLA de diodes limitatrices au silicium offre une protection passive du récepteur sur une large gamme de fréquences allant de 100 MHz à plus de 30 GHz. Ces dispositifs utilisent la technologie au silicium bien établie de Skyworks, ce qui se traduit par une résistivité élevée et des diodes limitatrices PIN à largeur de base étroitement contrôlées. Les circuits limiteurs utilisant ces dispositifs fonctionnent avec une forte action de limitation et une faible perte.
Conceptions haute puissance, milieu de gamme et de nettoyage
-Faible perte d'insertion : 0,1 dB à 10 GHz
-Gestion de la puissance maximale jusqu'à +74 dBm
-Puissance de fuite ultra faible
-Vb Ir = 10 µA (V) Min à Max:15-30
-Tapez. Cj @ 0 V (pF): 0,12
-Région I nominale (µm) :1.0
-Max. C j @ 6 V (pF): 0,10
-Tapez. T L @ 10 mA (ns):5
-Max. R S à 10 mA (Ω):2.5
_Impédance thermique_ Typique (°C/W): 185
_Impédance thermique_ Typ. 1 µs impulsion 0,01 % cycle de service (°C/W) typique:0,89

La série Skyworks APD de diodes PIN en silicium est conçue pour être utilisée comme commutateur et atténuateur dans les circuits RF et micro-ondes hautes performances. Les conceptions de diodes PIN sont utiles sur une large gamme de fréquences allant de moins de 100 MHz à plus de 30 GHz. Ces dispositifs utilisent la technologie au silicium bien établie de Skyworks, ce qui donne des diodes PIN avec des caractéristiques de région I étroitement contrôlées.
La faible capacité et la faible résistance des diodes APD0505 à APD1520 sont idéales pour les applications de commutation nécessitant une perte d'insertion et une vitesse de commutation rapide. Pour les applications de commutation ou d'atténuateur nécessitant une puissance élevée et une faible distorsion, la région I épaisse et la tension de claquage inverse élevée de l'APD2220 sont idéales.
-Vb Ir = 10 µA (V): 50
-Tapez. Cj @ 0 V(pF):0,25
-Région I nominale (µm):5
-Max. Cj @ 50 V (pF):0,20
-Max. Rs à 10 mA (Ω):1.0
-Max. Tl @ 10 mA (ns):50
-Résistance thermique maximale (C/W) :80
-Conceptions à faible capacité jusqu'à 0,05 pF
-Tensions nominales jusqu'à 200 V
-Taille de puce < 15 mils carrés

La série de limiteur diodes SMP1330 est conçue pour être utilisée comme protecteurs de récepteur passifs dans les systèmes sans fil et autres systèmes RF couvrant des fréquences allant jusqu’à 4 GHz et plus. Ces diodes utilisent la technologie de diode limiteur Skyworks pour produire des limiteurs de base minces dopés à l’or pour des performances à faible perte et à faible distorsion et une bonne action du limiteur.
La série de diodes SMP1330 a été caractérisée dans des circuits limiteurs et étroitement spécifiée pour assurer des performances constantes.
-Conception à faible distorsion
-Performances du limiteur à 4 GHz et plus
-Faible perte d’insertion
-Emballage en plastique à faible coût

-Vrwm:10000 V
-Io:50mA (55°C),25mA(100°C)
-Ir:0.1µA(25°C),10µA(100°C)
-Trr:3000ns (25°C)
-C:8 pF

-Vrwm:15000 V
-Io:30mA (55°C),15mA(100°C)
-Ir:0.1µA(25°C),10µA(100°C)
-Trr:3000ns (25°C)
-C:5 pF

Les diodes mélangeuses à barrière Schottky en silicium faisceau-plomb de Skyworks sont conçues pour des applications jusqu'à 40 GHz. La conception faisceau-conducteur réduit le problème de la liaison à la très petite zone caractéristique des jonctions à faible capacité. Les diodes mélangeuses à barrière Schottky à conducteur de faisceau sont fabriquées par le dépôt d'un métal barrière approprié sur un substrat de silicium épitaxial pour former la jonction. Le processus et le choix des matériaux se traduisent par une faible résistance série avec une plage étroite de valeurs de capacité pour un contrôle d'impédance étroit. Une variété de tensions directes sont disponibles, allant de valeurs faibles pour des niveaux d'entraînement d'oscillateur local faibles ou faibles à des valeurs élevées pour des applications de mélangeur à entraînement élevé et à faible distorsion. Les diodes faisceau-plomb sont disponibles dans une large gamme de boîtiers. Les plages de capacité et les résistances en série sont comparables aux dispositifs en boîtier disponibles via la bande K.
-Faible bruit 1/f
-Faible distorsion d'intermodulation
-Emballages époxy et hermétiques
-Fabrication de plaquettes contrôlées par SPC
-Cj 0 V, 1 MHz (pF): 0,05-0,15
-Max. Rs SI = 5 mA (Ω) :13
-Min. Vb@ 10 µA (V):3
-Vf@ 1 mA (mV) :350-450